双向可控硅漏电流 ?- 解决方法

在这之前先来了解几个概念:
  1. 感性负载: 负载电流滞后负载电压一个相位差特性的为感性负载, 有线圈负载的电路,叫感性负载。
  2. 容性负载: 电压滞后电流特性的负载。
  3. 阻性负载: 仅是通过电阻类的元件进行工作的纯阻性负载。

先来看一张AC 220V气泵控制电路,这是公司一直用的原理图,然而在偶然的发现下,当控制信号在关闭的时候,会有漏电流,既气泵会有微弱的震动,量一下CN5两端的电压大约有12V左右(这还了滴)。

开始以为光耦坏了,于是把电路中的光耦拿掉了,然并卵,气泵还是微弱的震动。又开始怀疑双向可控硅坏了(最后事实证明都没坏)。

来看一个双向可控硅的特性,网上搜集来的:

转换电压变化率:

   当驱动一个大的电感性负载时,在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时,双向可控硅开始换向,但由于相移的关系,电压将不会是零。所以要求可控硅要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时,就没有足够的时间使结间的电荷释放掉,而被迫使双向可控硅回到导通状态。

为了克服上述问题,可以在双向可控硅的两端加一个RC网络来限制电压的变化,以防止误触发。一般电阻取100Ω,电容取0.1uF。

于是网上搜集资料,因为气泵是感性负载,负载电流滞后负载电压一个相位差,于是就会有一个RC吸收回路,RC吸收回路相当于一个容性负载,电压滞后电流特性,两者能减小电压和电流的相位差。上图只有C没有R.

另一个答案,网上搜集来的:

从结果上来来说,肯定是那个电容的问题,在光耦截止时,电容降压太小,导致了可控硅还存在触发电压,这样的话电机在光耦截止时仍然还会导通.道理应该就这样了.

按照这个思路来,我把104电容(0.1uF)的电容换成了102电容(100nF),电容缩小了100倍,结果CN5两端电压有明显减小的效果,具体电压多少我忘了,反正效果非常明显,于是猜想,电容越小,达到的效果越好,于是串联三个102电容上去(竟然没想到把电容拿掉……),电容更小了,CN5两端电压也变小了,对比上一次变化不太大。

后来继续网上搜集资料,有网友说RC电路可以省略掉,于是我把RC吸收回路给去掉了,结果一量电压CN5两端的电压不到0.2V,哈哈,完美解决有末有。具体为什么省略我也没搞明白,可能气泵的感性负载比较小吧(猜测)。具体电路具体分析吧,反正对于我这个电路是这样解决的。

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